(资料图片仅供参考)
碳化硅是一种性能优异的半导体材料。相比同类硅基器件,碳化硅器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、体积小和重量轻等优点,在电动汽车、光伏、5G等产业领域具有重要的应用价值。
公报说,天科合达将为英飞凌提供用于生产碳化硅半导体的6英寸碳化硅晶体,这类半导体在长期需求预测中占可观的份额。
英飞凌首席采购官安赫莉克·范德堡表示,英飞凌目前正加倍投资碳化硅技术和产品组合,在此背景下,公司正在实施一项多供应商和多国采购战略,以增强供应链弹性,使广泛的客户群受益。
中国科学院物理研究所研究员、天科合达首席科学家陈小龙介绍,研发团队通过传统“气相法”和新式“液相法”,可以制造出高质量的大块碳化硅晶体。经过不懈攻关,制造的碳化硅晶体直径已从小于10毫米逐步增大到2英寸、4英寸、6英寸和8英寸(1英寸约合25.4毫米),有效降低了单位成本。
据悉,这一中国研发团队历时近20年,从基础研究、应用研究到成果转化,形成了具有自主知识产权的技术路线。
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